ซื้อ IPB47N10SL-26 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IPB47N10SL-26
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IPB47N10SL-26
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 19407 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IPB47N10SL-26.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPB47N10SL-26 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPB47N10SL-26 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2V @ 2mA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO263-3-2 |
| ชุด: | SIPMOS® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 26 mOhm @ 33A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 175W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ชื่ออื่น: | IPB47N10SL-26DKR IPB47N10SL-26DKR-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPB47N10SL-26 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 2500pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 135nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 100V 47A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 47A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPB47N10SL-26
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB47N10S33ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | การสอบสวน |
 |
BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | การสอบสวน |
 |
FQA6N90_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P | การสอบสวน |
|
IPB47N10S-33 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | การสอบสวน |
|
IPB47N10SL26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | การสอบสวน |
 |
3LN01C-TB-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP | การสอบสวน |
 |
DMG4468LFG | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN | การสอบสวน |
 |
FQNL2N50BTA | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3 | การสอบสวน |
 |
IXFX12N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247 | การสอบสวน |
 |
IXFB90N85X | IXYS | 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P | การสอบสวน |
 |
TP0606N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 | การสอบสวน |
|
STB75NF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK | การสอบสวน |
 |
SCH1337-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A SOT563 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers