IXFB90N85X
IXFB90N85X
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFB90N85X
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18803 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXFB90N85X.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFB90N85X เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFB90N85X ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXFB90N85X กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5.5V @ 8mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PLUS264™
ชุด:HiPerFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:41 mOhm @ 500mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1785W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-264-3, TO-264AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXFB90N85X
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:13300pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:340nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 850V 90A (Tc) 1785W (Tc) Through Hole PLUS264™
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):850V
ลักษณะ:850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:90A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ