ซื้อ IPB049NE7N3 G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.8V @ 91µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO263-3 |
ชุด: | OptiMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 4.9 mOhm @ 80A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 150W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ชื่ออื่น: | IPB049NE7N3 G-ND IPB049NE7N3G IPB049NE7N3GATMA1 SP000641752 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPB049NE7N3 G |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 4750pF @ 37.5V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 75V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 75V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |