ซื้อ IPL60R180P6AUMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IPL60R180P6AUMA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IPL60R180P6AUMA1
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 600V 4VSON
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 17601 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IPL60R180P6AUMA1.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPL60R180P6AUMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPL60R180P6AUMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4.5V @ 750µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-VSON-4 |
| ชุด: | CoolMOS™ P6 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 9A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 176W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-PowerTSFN |
| ชื่ออื่น: | IPL60R180P6AUMA1TR SP001017098 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPL60R180P6AUMA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 2080pF @ 100V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 600V 22.4A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 600V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 600V 4VSON |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 22.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPL60R180P6AUMA1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IPL60R185C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON | การสอบสวน |
 |
IPL60R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | การสอบสวน |
 |
IPL60R385CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON | การสอบสวน |
|
IPL60R255P6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4VSON | การสอบสวน |
 |
IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON | การสอบสวน |
|
IPL60R365P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4 | การสอบสวน |
|
IPL60R185P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4 | การสอบสวน |
|
IPL60R299CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON | การสอบสวน |
|
IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK | การสอบสวน |
|
IPL60R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON | การสอบสวน |
|
IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON | การสอบสวน |
|
IPL60R650P6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8THINPAK | การสอบสวน |
|
IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers