IPB023N06N3GATMA1
IPB023N06N3GATMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPB023N06N3GATMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18561 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPB023N06N3GATMA1.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPB023N06N3GATMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPB023N06N3GATMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPB023N06N3GATMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 141µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO263-7
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:2.3 mOhm @ 100A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):214W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
ชื่ออื่น:IPB023N06N3 G
IPB023N06N3 G-ND
IPB023N06N3 GTR-ND
SP000453048
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPB023N06N3GATMA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:16000pF @ 30V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:198nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 60V 140A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:140A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ