IPB027N10N3GATMA1
IPB027N10N3GATMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPB027N10N3GATMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19463 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPB027N10N3GATMA1.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPB027N10N3GATMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPB027N10N3GATMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPB027N10N3GATMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.5V @ 275µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO263-2
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:2.7 mOhm @ 100A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):300W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:IPB027N10N3 G
IPB027N10N3 G-ND
IPB027N10N3 GTR-ND
IPB027N10N3G
SP000506508
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPB027N10N3GATMA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:14800pF @ 50V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:206nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 100V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):6V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:120A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ