HGTG30N60B3D - Fairchild/ON Semiconductor - ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D

รุ่นผลิตภัณฑ์:: HGTG30N60B3D

ผู้ผลิต:: Fairchild/ON Semiconductor

ลักษณะ:: IGBT 600V 60A 208W TO247

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 18529 Pieces

แผ่นข้อมูล:: HGTG30N60B3D.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ HGTG30N60B3D เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา HGTG30N60B3D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ HGTG30N60B3D กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	1.9V @ 15V, 30A
ทดสอบสภาพ:	480V, 30A, 3 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:	36ns/137ns
การสลับพลังงาน:	550µJ (on), 680µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	TO-247
ชุด:	-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):	55ns
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	208W
บรรจุภัณฑ์:	Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	HGTG30N60B3D
ประเภทขาเข้า:	Standard
ประเภท IGBT:	-
ค่าใช้จ่ายประตู:	170nC
ขยายคำอธิบาย:	IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247
ลักษณะ:	IGBT 600V 60A 208W TO247
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):	220A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	60A
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HGTG30N60B3D

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
HGTG30N60A4	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 75A 463W TO247	การสอบสวน
IXGA12N60B	IXYS	IGBT 600V 24A 100W TO263AA	การสอบสวน
HGTG30N60C3D	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 63A 208W TO247	การสอบสวน
HGTG30N60B3	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 60A 208W TO247	การสอบสวน
IKP10N60TXKSA1	Infineon Technologies	IGBT 600V 20A 110W TO220-3	การสอบสวน
HGTG30N60A4D	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 75A 463W TO247	การสอบสวน
RJP60F0DPM-00#T1	Renesas Electronics America	IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest