HGTG30N60A4D - Fairchild/ON Semiconductor - ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว HGTG30N60A4D

HGTG30N60A4D

รุ่นผลิตภัณฑ์:: HGTG30N60A4D

ผู้ผลิต:: Fairchild/ON Semiconductor

ลักษณะ:: IGBT 600V 75A 463W TO247

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 18761 Pieces

แผ่นข้อมูล:: HGTG30N60A4D.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ HGTG30N60A4D เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา HGTG30N60A4D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ HGTG30N60A4D กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	2.6V @ 15V, 30A
ทดสอบสภาพ:	390V, 30A, 3 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:	25ns/150ns
การสลับพลังงาน:	280µJ (on), 240µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	TO-247-3
ชุด:	-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):	55ns
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	463W
บรรจุภัณฑ์:	Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	TO-247-3
ชื่ออื่น:	HGTG30N60A4D_NL HGTG30N60A4D_NL-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	HGTG30N60A4D
ประเภทขาเข้า:	Standard
ประเภท IGBT:	-
ค่าใช้จ่ายประตู:	225nC
ขยายคำอธิบาย:	IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3
ลักษณะ:	IGBT 600V 75A 463W TO247
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):	240A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	75A
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HGTG30N60A4D

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
HGTG30N60A4	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 75A 463W TO247	การสอบสวน
HGTG30N60C3D	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 63A 208W TO247	การสอบสวน
HGTG30N60B3	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 60A 208W TO247	การสอบสวน
IRG6S320UTRRPBF	Infineon Technologies	IGBT 330V 50A 114W D2PAK	การสอบสวน
HGTG30N60B3D	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 60A 208W TO247	การสอบสวน
IKW75N60TFKSA1	Infineon Technologies	IGBT 600V 80A 428W TO247-3	การสอบสวน
IXGH31N60	IXYS	IGBT 600V 60A 150W TO247AD	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest