ซื้อ HGTD3N60C3S9A กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
HGTD3N60C3S9A
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- HGTD3N60C3S9A
- ผู้ผลิต:
- Fairchild/ON Semiconductor
- ลักษณะ:
- IGBT 600V 6A 33W TO252AA
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 13815 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- HGTD3N60C3S9A.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ HGTD3N60C3S9A เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา HGTD3N60C3S9A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 600V |
|---|---|
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 2V @ 15V, 3A |
| ทดสอบสภาพ: | 480V, 3A, 82 Ohm, 15V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | - |
| การสลับพลังงาน: | 85µJ (on), 245µJ (off) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-252AA |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 33W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | HGTD3N60C3S9A |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 10.8nC |
| ขยายคำอธิบาย: | IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA |
| ลักษณะ: | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 24A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 6A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HGTD3N60C3S9A
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGH25N120A | IXYS | IGBT 1200V 50A 200W TO247AD | การสอบสวน |
 |
APT102GA60L | Microsemi Corporation | IGBT 600V 183A 780W TO264 | การสอบสวน |
 |
IRG7PH46UD-EP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 108A COPAK247 | การสอบสวน |
 |
NGTB50N60SWG | ON Semiconductor | IGBT 600V 50A TO247 | การสอบสวน |
 |
IXGP10N60A | IXYS | IGBT 600V 20A 100W TO220AB | การสอบสวน |
 |
IRG4BC30F-STRRP | Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 100W D2PAK | การสอบสวน |
 |
IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 | การสอบสวน |
 |
RJH60V1BDPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 16A 30W TO-220FL | การสอบสวน |
|
NGTB75N60FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 600V 75A TO247 | การสอบสวน |
|
IRG4BC20K-STRRP | Infineon Technologies | IGBT 600V 16A 60W D2PAK | การสอบสวน |
 |
SGH20N60RUFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 32A 195W TO3P | การสอบสวน |
 |
IXER35N120D1 | IXYS | IGBT 1200V 50A 200W TO247 | การสอบสวน |
 |
FGP30N6S2D | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 167W TO220AB | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog