ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > IXER35N120D1
IXER35N120D1
IXER35N120D1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXER35N120D1
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
IGBT 1200V 50A 200W TO247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15057 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXER35N120D1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXER35N120D1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXER35N120D1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXER35N120D1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.8V @ 15V, 35A
ทดสอบสภาพ:600V, 35A, 39 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:-
การสลับพลังงาน:5.4mJ (on), 2.6mJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOPLUS247™
ชุด:-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):80ns
เพาเวอร์ - แม็กซ์:200W
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:ISOPLUS247™
ชื่ออื่น:Q1370333
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXER35N120D1
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:NPT
ค่าใช้จ่ายประตู:150nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS247™
ลักษณะ:IGBT 1200V 50A 200W TO247
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):-
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):50A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXER35N120D1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
NGTB40N135IHRWG Image NGTB40N135IHRWG ON Semiconductor IGBT 1350V 80A 394W TO247 การสอบสวน
IXSH40N60B2D1 Image IXSH40N60B2D1 IXYS IGBT 600V 48A TO247 การสอบสวน
IRG4BC30F-STRRP Image IRG4BC30F-STRRP Infineon Technologies IGBT 600V 31A 100W D2PAK การสอบสวน
FGP30N6S2D Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 45A 167W TO220AB การสอบสวน
AOB10B60D Image AOB10B60D Alpha & Omega Semiconductor Inc. IGBT 600V 20A 163W TO263 การสอบสวน
IKW30N65EL5XKSA1 Image IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 การสอบสวน
IRG4BC20K-STRRP Image IRG4BC20K-STRRP Infineon Technologies IGBT 600V 16A 60W D2PAK การสอบสวน
IKD03N60RFATMA1 Image IKD03N60RFATMA1 Infineon Technologies IGBT 600V 6.5A 53.6W TO252 การสอบสวน
IXGH25N120 Image IXGH25N120 IXYS IGBT 1200V 50A 200W TO247AD การสอบสวน
NGTB50N60SWG Image NGTB50N60SWG ON Semiconductor IGBT 600V 50A TO247 การสอบสวน
NGTB75N60FL2WG Image NGTB75N60FL2WG ON Semiconductor IGBT 600V 75A TO247 การสอบสวน
IXGA150N30TC Image IXGA150N30TC IXYS IGBT 300V 150A TO263AA การสอบสวน

ข่าว Latest