GSID200A120S5C1 - Global Power Technologies Group - ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

รุ่นผลิตภัณฑ์:: GSID200A120S5C1

ผู้ผลิต:: Global Power Technologies Group

ลักษณะ:: IGBT MODULE 1200V 335A

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 12826 Pieces

แผ่นข้อมูล:: GSID200A120S5C1.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ GSID200A120S5C1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา GSID200A120S5C1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ GSID200A120S5C1 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	2.1V @ 15V, 200A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	Module
ชุด:	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	Module
ชื่ออื่น:	1560-1231
อุณหภูมิในการทำงาน:	-40°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor:	Yes
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	4 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	GSID200A120S5C1
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:	22.4nF @ 25V
อินพุต:	Standard
ประเภท IGBT:	-
ขยายคำอธิบาย:	IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 335A Chassis Mount Module
ลักษณะ:	IGBT MODULE 1200V 335A
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	1mA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	335A
องค์ประกอบ:	Three Phase Inverter
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ GSID200A120S5C1

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
VS-EMG050J60N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2	การสอบสวน
APTGT50TDU60PG	Microsemi Corporation	IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P	การสอบสวน
HGT1N30N60A4D	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227	การสอบสวน
CM600HB-24A	Powerex Inc.	IGBT MOD SGL 1200V 600A A SER	การสอบสวน
APTGT30X60T3G	Microsemi Corporation	IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest