HGT1N30N60A4D - Fairchild/ON Semiconductor - ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล HGT1N30N60A4D

HGT1N30N60A4D

รุ่นผลิตภัณฑ์:: HGT1N30N60A4D

ผู้ผลิต:: Fairchild/ON Semiconductor

ลักษณะ:: IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 15577 Pieces

แผ่นข้อมูล:: HGT1N30N60A4D.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ HGT1N30N60A4D เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา HGT1N30N60A4D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ HGT1N30N60A4D กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	2.7V @ 15V, 30A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SOT-227
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	255W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:	-55°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor:	No
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	HGT1N30N60A4D
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:	-
อินพุต:	Standard
ประเภท IGBT:	-
ขยายคำอธิบาย:	IGBT Module Single 600V 96A 255W Chassis Mount SOT-227
ลักษณะ:	IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	250µA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	96A
องค์ประกอบ:	Single
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HGT1N30N60A4D

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
FMG1G75US60H	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT MOLDING 600V 75A 7PM-GA	การสอบสวน
HGT1N40N60A4D	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227	การสอบสวน
CM600HB-24A	Powerex Inc.	IGBT MOD SGL 1200V 600A A SER	การสอบสวน
VS-EMG050J60N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2	การสอบสวน
APTGT30X60T3G	Microsemi Corporation	IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest