ซื้อ FQI4N25TU กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | I2PAK |
ชุด: | QFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 1.75 Ohm @ 1.8A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 3.13W (Ta), 52W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | FQI4N25TU |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 200pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 5.6nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 250V 3.6A (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I2PAK |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 250V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 3.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |