FQI4N25TU
FQI4N25TU
รุ่นผลิตภัณฑ์:
FQI4N25TU
ผู้ผลิต:
Fairchild/ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12686 Pieces
แผ่นข้อมูล:
FQI4N25TU.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ FQI4N25TU เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา FQI4N25TU ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FQI4N25TU กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:I2PAK
ชุด:QFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:1.75 Ohm @ 1.8A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):3.13W (Ta), 52W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:FQI4N25TU
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:200pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:5.6nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 250V 3.6A (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I2PAK
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):250V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:3.6A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ