ซื้อ FQP3P20 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±30V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-220AB |
ชุด: | QFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 2.7 Ohm @ 1.4A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 52W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 7 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | FQP3P20 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 250pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
ประเภท FET: | P-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | P-Channel 200V 2.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220AB |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 200V |
ลักษณะ: | MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 2.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |