CSD23203W
รุ่นผลิตภัณฑ์:
CSD23203W
ผู้ผลิต:
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19701 Pieces
แผ่นข้อมูล:
CSD23203W.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ CSD23203W เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา CSD23203W ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CSD23203W กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1.1V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):-6V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:6-DSBGA
ชุด:NexFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):750mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:6-UFBGA, DSBGA
ชื่ออื่น:296-40001-2
CSD23203W-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:6 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:CSD23203W
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:914pF @ 4V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:6.3nC @ 4.5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 8V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):8V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:3A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ