CSD23201W10
รุ่นผลิตภัณฑ์:
CSD23201W10
ผู้ผลิต:
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19783 Pieces
แผ่นข้อมูล:
CSD23201W10.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ CSD23201W10 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา CSD23201W10 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CSD23201W10 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:4-DSBGA (1x1)
ชุด:NexFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:82 mOhm @ 500mA, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:4-UFBGA, DSBGA
ชื่ออื่น:296-24258-2
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:CSD23201W10
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:325pF @ 6V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:2.4nC @ 4.5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 12V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):12V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:2.2A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ