ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT33GF120B2RDQ2G
APT33GF120B2RDQ2G
APT33GF120B2RDQ2G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT33GF120B2RDQ2G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12397 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1.APT33GF120B2RDQ2G.pdf2.APT33GF120B2RDQ2G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ APT33GF120B2RDQ2G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา APT33GF120B2RDQ2G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT33GF120B2RDQ2G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3V @ 15V, 25A
ทดสอบสภาพ:800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:14ns/185ns
การสลับพลังงาน:1.315µJ (on), 1.515µJ (off)
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:357W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3 Variant
ชื่ออื่น:APT33GF120B2RDQ2GMI
APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:22 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:APT33GF120B2RDQ2G
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:NPT
ค่าใช้จ่ายประตู:170nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
ลักษณะ:IGBT 1200V 64A 357W TMAX
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):75A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):64A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT33GF120B2RDQ2G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT33GF120BRG Image APT33GF120BRG Microsemi Corporation IGBT 1200V 52A 297W TO247 การสอบสวน
APT33N90JCCU2 Image APT33N90JCCU2 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 การสอบสวน
APT33GF120LRDQ2G Image APT33GF120LRDQ2G Microsemi Corporation IGBT 1200V 64A 357W TO264 การสอบสวน
APT33N90JCCU3 Image APT33N90JCCU3 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 การสอบสวน
IRGP6660D-EPBF Image IRGP6660D-EPBF Infineon Technologies IGBT 600V 60A TO247AD การสอบสวน
STGB10NB37LZ Image STGB10NB37LZ STMicroelectronics IGBT 440V 20A 125W D2PAK การสอบสวน
IXXH30N60B3 Image IXXH30N60B3 IXYS IGBT 600V TO247 การสอบสวน
IXXK200N60C3 Image IXXK200N60C3 IXYS IGBT 600V 340A 1630W TO264 การสอบสวน
IXGH12N60C Image IXGH12N60C IXYS IGBT 600V 24A 100W TO247AD การสอบสวน
APT33N90JCU3 Image APT33N90JCU3 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 การสอบสวน
APT33N90JCU2 Image APT33N90JCU2 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 การสอบสวน
FGPF30N30TTU Image FGPF30N30TTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 300V 44.6W TO220F การสอบสวน
AOT15B60D Alpha & Omega Semiconductor Inc. IGBT 600V 30A 167W TO220 การสอบสวน
IRG4BC30KDPBF Image IRG4BC30KDPBF Infineon Technologies IGBT 600V 28A 100W TO220AB การสอบสวน

ข่าว Latest