ซื้อ APT33GF120LRDQ2G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
APT33GF120LRDQ2G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- APT33GF120LRDQ2G
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- IGBT 1200V 64A 357W TO264
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 13373 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- APT33GF120LRDQ2G.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ APT33GF120LRDQ2G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา APT33GF120LRDQ2G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 1200V |
|---|---|
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 3V @ 15V, 25A |
| ทดสอบสภาพ: | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 14ns/185ns |
| การสลับพลังงาน: | 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-264 [L] |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 357W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-264-3, TO-264AA |
| ชื่ออื่น: | APT33GF120LRDQ2GMI APT33GF120LRDQ2GMI-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | APT33GF120LRDQ2G |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | NPT |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 170nC |
| ขยายคำอธิบาย: | IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] |
| ลักษณะ: | IGBT 1200V 64A 357W TO264 |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 75A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 64A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT33GF120LRDQ2G
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
STGW35HF60W | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W TO247 | การสอบสวน |
 |
IXBH14N250A | IXYS | IGBT 2500V TO247AD | การสอบสวน |
|
IXGH40N60A3D1 | IXYS | IGBT 600V TO-247 | การสอบสวน |
|
IXXH40N65B4H1 | IXYS | IGBT 650V 120A 455W TO247AD | การสอบสวน |
 |
APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | การสอบสวน |
 |
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | การสอบสวน |
|
IXGH30N60B | IXYS | IGBT 600V 60A 200W TO247AD | การสอบสวน |
 |
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | การสอบสวน |
 |
RJH60F0DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P | การสอบสวน |
|
IXGH30N120C3H1 | IXYS | IGBT 1200V 48A 250W TO247AD | การสอบสวน |
|
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | การสอบสวน |
|
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | การสอบสวน |
|
APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | การสอบสวน |
 |
IRGIB4630DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 47A 206W TO220 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog