ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
AFT05MS031NR1
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ประกอบด้วยตะกั่ว / RoHS Compliant
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19334 Pieces
แผ่นข้อมูล:
AFT05MS031NR1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ AFT05MS031NR1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา AFT05MS031NR1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ AFT05MS031NR1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:13.6V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:40V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-270-2
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:31W
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-270AA
ชื่ออื่น:AFT05MS031NR1DKR
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:AFT05MS031NR1
ได้รับ:17.7dB
ความถี่:520MHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS 13.6V 10mA 520MHz 17.7dB 31W TO-270-2
ลักษณะ:FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
พิกัดกระแส:-
ปัจจุบัน - การทดสอบ:10mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ AFT05MS031NR1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
BLC8G27LS-160AVHY Image BLC8G27LS-160AVHY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 28V 14.5DB SOT12751 การสอบสวน
AFT05MS031GNR1 NXP USA Inc. FET RF 40V 520MHZ TO270-2G การสอบสวน
AFT05MS003NT1 Image AFT05MS003NT1 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS การสอบสวน
AFT05MP075GNR1 Image AFT05MP075GNR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4 การสอบสวน
PTFB093608SVV2R250XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS การสอบสวน
MRFG35005MR5 Image MRFG35005MR5 NXP USA Inc. FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD การสอบสวน
MRF6P3300HR3 NXP USA Inc. FET RF 68V 863MHZ NI-860C3 การสอบสวน
AFT05MP075NR1 Image AFT05MP075NR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4 การสอบสวน
BLF6G15L-40BRN,112 Image BLF6G15L-40BRN,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A การสอบสวน
AFT05MS006NT1 Image AFT05MS006NT1 NXP USA Inc. FET RF 30V 520MHZ PLD การสอบสวน
MRF8HP21130HSR5 Image MRF8HP21130HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4 การสอบสวน
CGH60060D Image CGH60060D Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V DIE การสอบสวน
AFT05MS004NT1 Image AFT05MS004NT1 NXP USA Inc. FET RF 30V 520MHZ PLD การสอบสวน
PD55003STR-E Image PD55003STR-E STMicroelectronics FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 การสอบสวน

ข่าว Latest