ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF > AFT05MS031GNR1
AFT05MS031GNR1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
AFT05MS031GNR1
ผู้ผลิต:
NXP Semiconductors / Freescale
ลักษณะ:
FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18345 Pieces
แผ่นข้อมูล:
AFT05MS031GNR1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ AFT05MS031GNR1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา AFT05MS031GNR1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ AFT05MS031GNR1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:13.6V
แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม:40V
ประเภททรานซิสเตอร์:LDMOS
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-270-2 GULL
ชุด:-
เพาเวอร์ - เอาท์พุท:31W
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-270-2 Gull Wing
ชื่ออื่น:935321855528
เสียงรบกวนเต็มตัว:-
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:AFT05MS031GNR1
ได้รับ:17.7dB
ความถี่:520MHz
ขยายคำอธิบาย:RF Mosfet LDMOS 13.6V 10mA 520MHz 17.7dB 31W TO-270-2 GULL
ลักษณะ:FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
พิกัดกระแส:-
ปัจจุบัน - การทดสอบ:10mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ AFT05MS031GNR1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
BLF10M6135U Image BLF10M6135U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A การสอบสวน
PD85015TR-E Image PD85015TR-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF การสอบสวน
AFT05MP075GNR1 Image AFT05MP075GNR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4 การสอบสวน
PTFA080551FV4R0XTMA1 Infineon Technologies RF MOSFET LDMOS 28V H-37265-2 การสอบสวน
AFT05MS031NR1 Image AFT05MS031NR1 NXP USA Inc. FET RF 40V 520MHZ TO-270-2 การสอบสวน
BLD6G21L-50,112 Image BLD6G21L-50,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A การสอบสวน
AFT05MS006NT1 Image AFT05MS006NT1 NXP USA Inc. FET RF 30V 520MHZ PLD การสอบสวน
AFT05MS004NT1 Image AFT05MS004NT1 NXP USA Inc. FET RF 30V 520MHZ PLD การสอบสวน
PTFB212503ELV1R0XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS H-33288-6 การสอบสวน
AFT05MP075NR1 Image AFT05MP075NR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4 การสอบสวน
MRF7S19080HR5 Image MRF7S19080HR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 การสอบสวน
AFT05MS003NT1 Image AFT05MS003NT1 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS การสอบสวน
PD20010-E Image PD20010-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF การสอบสวน
MRF7S19170HR3 Image MRF7S19170HR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 การสอบสวน

ข่าว Latest