ZVN2110GTA
ZVN2110GTA
รุ่นผลิตภัณฑ์:
ZVN2110GTA
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17469 Pieces
แผ่นข้อมูล:
ZVN2110GTA.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ ZVN2110GTA เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา ZVN2110GTA ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ZVN2110GTA กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.4V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-223
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:4 Ohm @ 1A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):2W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-261-4, TO-261AA
ชื่ออื่น:ZVN2110GTR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:ZVN2110GTA
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:75pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:-
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 100V 500mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:500mA (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ