TK7S10N1Z,LQ
รุ่นผลิตภัณฑ์:
TK7S10N1Z,LQ
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14305 Pieces
แผ่นข้อมูล:
TK7S10N1Z,LQ.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ TK7S10N1Z,LQ เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา TK7S10N1Z,LQ ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ TK7S10N1Z,LQ กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 100µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:DPAK+
ชุด:U-MOSVIII-H
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:48 mOhm @ 3.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):50W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ชื่ออื่น:TK7S10N1ZLQDKR
อุณหภูมิในการทำงาน:175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:16 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:TK7S10N1Z,LQ
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:470pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:7.1nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 100V 7A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount DPAK+
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:7A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ