SVD14N03RT4G
SVD14N03RT4G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SVD14N03RT4G
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17027 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SVD14N03RT4G.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SVD14N03RT4G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SVD14N03RT4G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SVD14N03RT4G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:DPAK
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:95 mOhm @ 5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ชื่ออื่น:NVD14N03RT4G
NVD14N03RT4G-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:4 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SVD14N03RT4G
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:115pF @ 20V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:1.8nC @ 5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 25V 2.5A (Ta) 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount DPAK
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):25V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ