STW23NM60N
STW23NM60N
รุ่นผลิตภัณฑ์:
STW23NM60N
ผู้ผลิต:
ST
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V 19A TO-247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18118 Pieces
แผ่นข้อมูล:
STW23NM60N.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ STW23NM60N เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา STW23NM60N ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ STW23NM60N กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247-3
ชุด:MDmesh™ II
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 9.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):150W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
ชื่ออื่น:497-7621-5
STW23NM60N-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:STW23NM60N
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2050pF @ 50V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:60nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 600V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 600V 19A TO-247
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:19A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ