STU6N60M2
STU6N60M2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
STU6N60M2
ผู้ผลิต:
ST
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V IPAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16917 Pieces
แผ่นข้อมูล:
STU6N60M2.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ STU6N60M2 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา STU6N60M2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ STU6N60M2 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±25V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:I-Pak
ชุด:MDmesh™ II Plus
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):60W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ชื่ออื่น:497-13978-5
STU6N60M2-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:26 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:STU6N60M2
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:232pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:13.5nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 600V IPAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ