STP18NM80
STP18NM80
รุ่นผลิตภัณฑ์:
STP18NM80
ผู้ผลิต:
ST
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17589 Pieces
แผ่นข้อมูล:
STP18NM80.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ STP18NM80 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา STP18NM80 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ STP18NM80 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220AB
ชุด:MDmesh™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:295 mOhm @ 8.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):190W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
ชื่ออื่น:497-10076-5
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:18 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:STP18NM80
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2070pF @ 50V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:70nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 800V 17A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):800V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 800V 17A TO-220
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:17A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ