ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > STH240N10F7-6
STH240N10F7-6
STH240N10F7-6
รุ่นผลิตภัณฑ์:
STH240N10F7-6
ผู้ผลิต:
ST
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19763 Pieces
แผ่นข้อมูล:
STH240N10F7-6.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ STH240N10F7-6 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา STH240N10F7-6 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ STH240N10F7-6 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:H²PAK
ชุด:STripFET™ F7
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:2.5 mOhm @ 60A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):300W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
ชื่ออื่น:497-15312-6
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:22 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:STH240N10F7-6
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:11550pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:160nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 100V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:180A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ STH240N10F7-6

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IRFR9010TR Image IRFR9010TR Vishay Siliconix MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK การสอบสวน
STH240N10F7-2 Image STH240N10F7-2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 การสอบสวน
STH240N75F3-6 Image STH240N75F3-6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK การสอบสวน
FDH633605 Image FDH633605 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH DO-35 การสอบสวน
R5016FNX Image R5016FNX Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM การสอบสวน
STFW69N65M5 Image STFW69N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF การสอบสวน
CSD17527Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 65A 8SON การสอบสวน
STH240N75F3-2 Image STH240N75F3-2 STMicroelectronics MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2 การสอบสวน
AOT8N80L_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220 การสอบสวน
IRL3705NSTRL Image IRL3705NSTRL Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK การสอบสวน
IXTQ36P15P Image IXTQ36P15P IXYS MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P การสอบสวน
STD27N3LH5 Image STD27N3LH5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 27A DPAK การสอบสวน
STH245N75F3-6 Image STH245N75F3-6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6 การสอบสวน
STP80NF55 STMicroelectronics MOSFET N-CH 55V 80A TO220 การสอบสวน

ข่าว Latest