STF42N60M2-EP
STF42N60M2-EP
รุ่นผลิตภัณฑ์:
STF42N60M2-EP
ผู้ผลิต:
ST
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220FP
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13567 Pieces
แผ่นข้อมูล:
STF42N60M2-EP.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ STF42N60M2-EP เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา STF42N60M2-EP ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ STF42N60M2-EP กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±25V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220FP
ชุด:MDmesh™ M2
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:87 mOhm @ 17A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):40W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3 Full Pack
ชื่ออื่น:497-15887-5
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:18 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:STF42N60M2-EP
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2370pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:55nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 600V 34A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220FP
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:34A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ