STD11NM60N-1
STD11NM60N-1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
STD11NM60N-1
ผู้ผลิต:
ST
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19990 Pieces
แผ่นข้อมูล:
STD11NM60N-1.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ STD11NM60N-1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา STD11NM60N-1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ STD11NM60N-1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:I-Pak
ชุด:MDmesh™ II
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):90W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ชื่ออื่น:497-5963-5
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:STD11NM60N-1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:850pF @ 50V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:31nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-Pak
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:10A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ