STB26NM60ND
STB26NM60ND
รุ่นผลิตภัณฑ์:
STB26NM60ND
ผู้ผลิต:
ST
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16426 Pieces
แผ่นข้อมูล:
STB26NM60ND.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ STB26NM60ND เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา STB26NM60ND ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ STB26NM60ND กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D2PAK
ชุด:FDmesh™ II
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:175 mOhm @ 10.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):190W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Cut Tape (CT)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:497-14264-1
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:STB26NM60ND
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1817pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:54.6nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 600V 21A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:21A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ