ซื้อ SQJ500AEP-T1_GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
SQJ500AEP-T1_GE3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SQJ500AEP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay / Siliconix
- ลักษณะ:
- MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 19913 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- SQJ500AEP-T1_GE3.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SQJ500AEP-T1_GE3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SQJ500AEP-T1_GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 27 mOhm @ 6A, 10V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 48W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| ชื่ออื่น: | SQJ500AEP-T1_GE3TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SQJ500AEP-T1_GE3 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1850pF @ 20V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 38.1nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N and P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | Mosfet Array N and P-Channel 40V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 40V |
| ลักษณะ: | MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SQJ500AEP-T1_GE3
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
QS6J3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 | การสอบสวน |
 |
SI5904DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | การสอบสวน |
 |
DMP4047SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC | การสอบสวน |
|
SI5915BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | การสอบสวน |
 |
IRF7910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC | การสอบสวน |
 |
RJM0603JSC-00#12 | Renesas Electronics America | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP | การสอบสวน |
 |
SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | การสอบสวน |
 |
DMG1026UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 | การสอบสวน |
 |
NTLGD3502NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN | การสอบสวน |
|
FDS3601 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC | การสอบสวน |
 |
APTM100H35FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | การสอบสวน |
|
APTM100H80FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers