SQD50P08-25L_GE3
SQD50P08-25L_GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SQD50P08-25L_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET P-CHAN 80V TO252
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14507 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SQD50P08-25L_GE3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SQD50P08-25L_GE3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SQD50P08-25L_GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SQD50P08-25L_GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-252AA
ชุด:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 10.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):136W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ชื่ออื่น:SQD50P08-25L_GE3TR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:18 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SQD50P08-25L_GE3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:5350pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:137nC @ 10V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 80V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):80V
ลักษณะ:MOSFET P-CHAN 80V TO252
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:50A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ