SQD40030E_GE3
SQD40030E_GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SQD40030E_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 40V TO252AA
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16446 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SQD40030E_GE3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SQD40030E_GE3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SQD40030E_GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SQD40030E_GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:-
Vgs (สูงสุด):-
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-252AA
ชุด:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:-
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):-
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ชื่ออื่น:SQD40030E_GE3-ND
SQD40030E_GE3TR
อุณหภูมิในการทำงาน:175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:18 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SQD40030E_GE3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:65nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 40V Surface Mount TO-252AA
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):40V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 40V TO252AA
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ