SQ3460EV-T1_GE3
SQ3460EV-T1_GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SQ3460EV-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19579 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SQ3460EV-T1_GE3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SQ3460EV-T1_GE3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SQ3460EV-T1_GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SQ3460EV-T1_GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±8V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:6-TSOP
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:30 mOhm @ 5.1A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):3.6W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ชื่ออื่น:SQ3460EV-T1-GE3DKR
SQ3460EV-T1-GE3DKR-ND
SQ3460EV-T1_GE3DKR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:18 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SQ3460EV-T1_GE3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1060pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:14nC @ 4.5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 20V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:8A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ