ซื้อ SPP11N60CFDHKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
SPP11N60CFDHKSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SPP11N60CFDHKSA1
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 13103 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- SPP11N60CFDHKSA1.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SPP11N60CFDHKSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SPP11N60CFDHKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5V @ 500µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO220-3-1 |
| ชุด: | CoolMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 440 mOhm @ 7A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 125W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
| ชื่ออื่น: | SP000014533 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SPP11N60CFDHKSA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1200pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 600V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SPP11N60CFDHKSA1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
SPP11N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | การสอบสวน |
|
SPP11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | การสอบสวน |
 |
FDWS86369_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET NCH 80V 65A POWER56 | การสอบสวน |
|
SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB | การสอบสวน |
|
SPP11N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | การสอบสวน |
 |
PHD71NQ03LT,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK | การสอบสวน |
 |
SPP11N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | การสอบสวน |
|
SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | การสอบสวน |
 |
BSP149 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | การสอบสวน |
|
AOH3110 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 1A SOT223 | การสอบสวน |
 |
IXFX170N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog