ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > SPP07N60CFDHKSA1
SPP07N60CFDHKSA1
SPP07N60CFDHKSA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SPP07N60CFDHKSA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16118 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SPP07N60CFDHKSA1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SPP07N60CFDHKSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SPP07N60CFDHKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SPP07N60CFDHKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 300µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO220-3-1
ชุด:CoolMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:700 mOhm @ 4.6A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):83W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
ชื่ออื่น:SP000264424
SP000681032
SPP07N60CFD
SPP07N60CFD-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SPP07N60CFDHKSA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:790pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:47nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 650V 6.6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):650V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:6.6A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SPP07N60CFDHKSA1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
SPP07N60S5 Image SPP07N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB การสอบสวน
SPP07N65C3XKSA1 Infineon Technologies LOW POWER_LEGACY การสอบสวน
SPP07N60S5XKSA1 Infineon Technologies LOW POWER_LEGACY การสอบสวน
SPP07N60C3HKSA1 Image SPP07N60C3HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V TO-220AB การสอบสวน
SPP07N60S5HKSA1 Infineon Technologies LOW POWER_LEGACY การสอบสวน
SPP07N60C3XKSA1 Image SPP07N60C3XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB การสอบสวน
SPP07N65C3HKSA1 Image SPP07N65C3HKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 การสอบสวน
FCP220N80 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 800V 23A การสอบสวน

ข่าว Latest