ซื้อ SPD02N60C3BTMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.9V @ 80µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO252-3 |
ชุด: | CoolMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 25W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ชื่ออื่น: | SP000013693 SP000077610 SPD02N60C3 SPD02N60C3INTR SPD02N60C3INTR-ND SPD02N60C3T SPD02N60C3T-ND SPD02N60C3ZT |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SPD02N60C3BTMA1 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 200pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 12.5nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 650V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 1.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |