SPB07N60C3
SPB07N60C3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SPB07N60C3
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15403 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SPB07N60C3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SPB07N60C3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SPB07N60C3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SPB07N60C3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.9V @ 350µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO263-3-2
ชุด:CoolMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:600 mOhm @ 4.6A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):83W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:SPB07N60C3INDKR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SPB07N60C3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:790pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:27nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):650V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:7.3A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ