ซื้อ SPB02N60C3ATMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.9V @ 80µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO263-3-2 |
| ชุด: | CoolMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 25W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ชื่ออื่น: | SP000013516 SPB02N60C3 SPB02N60C3INTR SPB02N60C3INTR-ND SPB02N60C3XT SPB02N60C3XT-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SPB02N60C3ATMA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 200pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 12.5nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 650V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 1.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |