ซื้อ SIDC09D60E6 UNSAWN กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
SIDC09D60E6 UNSAWN
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SIDC09D60E6 UNSAWN
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 13072 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- SIDC09D60E6 UNSAWN.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SIDC09D60E6 UNSAWN เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SIDC09D60E6 UNSAWN ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.7V @ 20A |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 600V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Sawn on foil |
| ความเร็ว: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 150ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Die |
| ชื่ออื่น: | SIDC09D60E6UNSAWN SP000012547 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SIDC09D60E6 UNSAWN |
| ขยายคำอธิบาย: | Diode Standard 600V 20A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| ลักษณะ: | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 27µA @ 600V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 20A (DC) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SIDC09D60E6 UNSAWN
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
SIDC03D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER | การสอบสวน |
|
SIDC09D60E6Y | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | การสอบสวน |
|
SIDC09D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | การสอบสวน |
|
SIDC04D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER | การสอบสวน |
|
SIDC06D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | การสอบสวน |
|
SIDC01D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER | การสอบสวน |
|
SIDC09D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | การสอบสวน |
|
SIDC03D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER | การสอบสวน |
|
SIDC08D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER | การสอบสวน |
|
SIDC03D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER | การสอบสวน |
|
SIDC03D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers