SIA519EDJ-T1-GE3
SIA519EDJ-T1-GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SIA519EDJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18449 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SIA519EDJ-T1-GE3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SIA519EDJ-T1-GE3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SIA519EDJ-T1-GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SIA519EDJ-T1-GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1.4V @ 250µA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PowerPAK® SC-70-6 Dual
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:7.8W
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:PowerPAK® SC-70-6 Dual
ชื่ออื่น:SIA519EDJ-T1-GE3TR
SIA519EDJT1GE3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:24 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SIA519EDJ-T1-GE3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:350pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:12nC @ 10V
ประเภท FET:N and P-Channel
คุณสมบัติ FET:Logic Level Gate
ขยายคำอธิบาย:Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
ลักษณะ:MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:4.5A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ