SIA453EDJ-T1-GE3
SIA453EDJ-T1-GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SIA453EDJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15096 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SIA453EDJ-T1-GE3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SIA453EDJ-T1-GE3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SIA453EDJ-T1-GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SIA453EDJ-T1-GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1.4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±12V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PowerPAK® SC-70-6 Single
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:18.5 mOhm @ 5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):3.5W (Ta), 19W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:PowerPAK® SC-70-6
ชื่ออื่น:SIA453EDJ-T1-GE3TR
อุณหภูมิในการทำงาน:-50°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:24 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SIA453EDJ-T1-GE3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1900pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:66nC @ 10V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 30V 24A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):2.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:24A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ