SI8405DB-T1-E1
SI8405DB-T1-E1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SI8405DB-T1-E1
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19803 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SI8405DB-T1-E1.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SI8405DB-T1-E1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SI8405DB-T1-E1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SI8405DB-T1-E1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:950mV @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:4-Microfoot
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:55 mOhm @ 1A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.47W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:4-XFBGA, CSPBGA
ชื่ออื่น:SI8405DB-T1-E1TR
SI8405DBT1E1
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SI8405DB-T1-E1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:21nC @ 4.5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 12V 3.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):12V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:3.6A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ