ซื้อ SI7388DP-T1-E3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1.6V @ 250µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PowerPAK® SO-8 |
ชุด: | TrenchFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 7 mOhm @ 19A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1.9W (Ta) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | PowerPAK® SO-8 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SI7388DP-T1-E3 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 24nC @ 5V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 30V 12A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 12A (Ta) |
Email: | [email protected] |