SI6435ADQ-T1-E3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SI6435ADQ-T1-E3
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13770 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SI6435ADQ-T1-E3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SI6435ADQ-T1-E3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SI6435ADQ-T1-E3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SI6435ADQ-T1-E3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 250µA (Min)
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-TSSOP
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:30 mOhm @ 5.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.05W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ชื่ออื่น:SI6435ADQ-T1-E3DKR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SI6435ADQ-T1-E3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:20nC @ 5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 30V 4.7A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:4.7A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ