ซื้อ SI4974DY-T1-E3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SO |
ชุด: | TrenchFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 19 mOhm @ 8A, 10V |
เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1.1W |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ชื่ออื่น: | SI4974DY-T1-E3TR |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SI4974DY-T1-E3 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
ประเภท FET: | 2 N-Channel (Dual) |
คุณสมบัติ FET: | Logic Level Gate |
ขยายคำอธิบาย: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 4.4A 1.1W Surface Mount 8-SO |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
ลักษณะ: | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 6A, 4.4A |
Email: | [email protected] |