ซื้อ SI4646DY-T1-GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SO |
| ชุด: | SkyFET®, TrenchFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 11.5 mOhm @ 10A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SI4646DY-T1-GE3 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1790pF @ 15V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 30V 12A (Tc) 3W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |