SI4559ADY-T1-E3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SI4559ADY-T1-E3
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18186 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SI4559ADY-T1-E3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SI4559ADY-T1-E3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SI4559ADY-T1-E3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SI4559ADY-T1-E3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3V @ 250µA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-SO
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:58 mOhm @ 4.3A, 10V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:3.1W, 3.4W
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ชื่ออื่น:SI4559ADY-T1-E3TR
SI4559ADYT1E3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:15 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SI4559ADY-T1-E3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:665pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:20nC @ 10V
ประเภท FET:N and P-Channel
คุณสมบัติ FET:Logic Level Gate
ขยายคำอธิบาย:Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SO
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:5.3A, 3.9A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ