SI4464DY-T1-E3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SI4464DY-T1-E3
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12236 Pieces
แผ่นข้อมูล:
SI4464DY-T1-E3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SI4464DY-T1-E3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SI4464DY-T1-E3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SI4464DY-T1-E3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-SO
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:240 mOhm @ 2.2A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.5W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ชื่ออื่น:SI4464DY-T1-E3TR
SI4464DYT1E3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:24 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SI4464DY-T1-E3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:18nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 200V 1.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):6V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):200V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:1.7A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ