ซื้อ SI2343DS-T1-E3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-23-3 (TO-236) |
| ชุด: | TrenchFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 53 mOhm @ 4A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 750mW (Ta) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ชื่ออื่น: | SI2343DS-T1-E3TR SI2343DST1E3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SI2343DS-T1-E3 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 540pF @ 15V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
| ประเภท FET: | P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | P-Channel 30V 3.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
| ลักษณะ: | MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 3.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |